ИФП СО РАН — одна из ведущих организаций в области исследования поверхностных свойств тонких кристаллических пленок, полупроводниковых материалов, их границ раздела и создания новых полупроводниковых приборов.
В 1960-е годы, когда создавался институт, отношение к полупроводникам было не слишком серьёзным, никто не ожидал, что именно они определят развитие эры цифровых технологий. Первый директор института академик Анатолий Васильевич Ржанов сразу сформулировал направления его работы, в их числе — сотрудничество с предприятиями.
Уже в 1970-х появились плоды этого взаимодействия: первые «флешки», оборудование для роста тонких полупроводниковых пленок ― установки молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющие выращивать кристаллические тонкие пленки с атомарной точностью. В 1988 г. институт представил не только научные, но и промышленные образцы таких установок.
В числе дальнейших достижений: прецизионные диагностические приборы — эллипсометры — и развитие метода эллипсометрии, открытие эффекта эшелонирования атомных ступеней на поверхности кремния под воздействием постоянного электрического тока, появление принц-технологии и, наконец, создание элементной базы для квантовых коммуникаций. Недавно специалисты ИФП СО РАН создали однофотонный излучатель и детектор для систем защищённой квантовой связи.
Фото: © РАН
Источник: РАН
