В Институте физики полупроводников Сибирского отделения РАН выращены полупроводниковые наноструктуры на основе германия, кремния и олова.
«Методом молекулярно-лучевой эпитаксии мы сформировали гетероструктуры, в основе которых лежит недорогая кремниевая подложка. Принципиальная ценность нового материала — в совместимости с современной технологией массового производства электронных компонентов на основе кремния. Эффективность взаимодействия света с веществом может повысить интеграция новых материалов на основе Ge-Si-Sn с искусственными электромагнитными средами. С этой целью мы разработали фотонные кристаллы», — объясняет старший научный сотрудник ИФП СО РАН Вячеслав Тимофеев.
Уже установлено, что применение фотонно-кристаллических структур позволяет многократно усилить сигнал светоизлучающих и фотоприемных структур в инфракрасном диапазоне спектра, недоступном для традиционной кремниевой оптоэлектроники.
Кристаллы, открывающие новые перспективы в лечении болезней Альцгеймера и Паркинсона, а также шизофрении, синтезировали в Красноярске (Институт химии и химической технологии ФИЦ «Красноярский научный центр СО РАН»). А сотрудники ИЯФ СО РАН провели в преддверии нового года испытания карбида бора в качестве потенциального покрытия для стенок термоядерных реакторов.
Фото: © РАН
Источник: РАН
