Ученые из Томского госуниверситета разработали диоды четвёртого поколения на основе оксида галлия. Сфера их применения — энергоэффективные зарядные устройства, высокомощные блоки питания, схемы управления автомобильными электродвигателями и другая силовая электроника. Эти детали должны будут заменить устаревающие диоды на основе нитрида галлия и кремния и существенно превосходят их по ряду показателей. Так, пробивное напряжение новых диодов превышает 1000 вольт. Лабораторные образцы уже прошли первые испытания, и теперь разработчики занимаются оптимизацией производственных процессов.
Источник: Наука.рф