Специалисты из АО «НИИТМ» (ГК «Элемент»), НТЦ микроэлектроники РАН и ООО «Софт-Импакт» создали первую отечественную установку для получения кристаллов нитрида галлия на 200-миллиметровых кремниевых подложках. Это позволит локализовать один из важных этапов в производстве силовой и сверхвысокочастотной микроэлектроники.
Транзисторы на основе нитрида галлия обладают способностью работать с высокими токами, напряжениями и при повышенных температурах, а значит использовать их можно в машиностроении и в промышленной электронике. Пока готов опытный образец установки. Запуск серийного производства запланирован на следующий год. Россия станет четвертой страной в мире, которая будет выпускать оборудование такого класса.
Источник: МашТех